浙江大學(xué)鄧云洲博士、丨萬華南理工大學(xué)彭灃博士、丨萬浙江大學(xué)陸遙和浙江大學(xué)朱希童為本文共同第一作者，研究成果以Solution-processedgreenandbluequantum-dotlight-emittingdiodeswitheliminatedchargeleakage為題發(fā)表在國際著名期刊NaturePhotonics上?！緢D文解讀】圖一、華化無序強(qiáng)化電子泄漏限制藍(lán)/綠色QD-LEDs的EL效率（a）典型的QD-LED結(jié)構(gòu)（左），HTL/QD界面（右下）及其截面TEM圖像（右上）。（e）經(jīng)過HTLs能量無序度調(diào)節(jié)，學(xué)集新從量子點(diǎn)到聚合物HTLs尾態(tài)的電子傳輸情況。

3.抑制電子泄漏可顯著改善藍(lán)/綠色QD-LEDs的電荷載流子-發(fā)射激子轉(zhuǎn)換效率（約為100%）、團(tuán)突穩(wěn)定性（綠色QD-LEDs在100尼特初始亮度下的T95壽命為58萬小時，團(tuán)突藍(lán)色QD-LEDs則為超過4千小時）等器件主要性能。針對這一發(fā)現(xiàn)，卡脖作者提出了一種新的設(shè)計原則，即采用具有較淺最低未占據(jù)分子軌道（LUMO）能級和減少能量無序的HTLs來消除電子泄漏。

基于這些限制，總書r占自主創(chuàng)提出新的設(shè)計策略以開發(fā)高性能綠色和藍(lán)色QD-LEDs具有重要的意義。

為了抑制電子泄漏，記的技術(shù)作者使用同時具有低電子親和能和低能量無序度的聚合物空穴傳輸材料來消除有機(jī)/無機(jī)界面上的電子泄漏。二、牽掛搶【成果掠影】東京大學(xué)工程學(xué)院化學(xué)與生物技術(shù)系的YoshimitsuItoh教授等發(fā)表在Science上的文章提出了實(shí)現(xiàn)水超快滲透的密集含氟內(nèi)表面納米通道結(jié)構(gòu)。

設(shè)計了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證滲透壓是否會導(dǎo)致NaCl向膜內(nèi)滲透，丨萬結(jié)果表明，NaCl向膜內(nèi)的滲透極慢，不足以影響水向膜外的滲透。華化圖2氟納米通道的形成：(A~D)F12NR4,F15NR5,F18NR6和F12NR6納米環(huán)的CPK模型。

這些性能得益于氟內(nèi)表面負(fù)的靜電特性，學(xué)集新而負(fù)靜電特性可破壞水團(tuán)簇，學(xué)集新增強(qiáng)水的滲透性（納米通道直徑最小時，水的滲透量比水通道蛋白和碳納米管大2倍），并且對Cl-的滲透產(chǎn)生靜電阻礙，文章提供的納米通道中氯離子的滲透可忽略不計。(D)直徑1.76nm的虛擬Lennard-Jones通道中水分子自由鍵分布，團(tuán)突Lennard-Jones通道的疏水性受比例因子控制。