演大又部硅基集成電路技術(shù)發(fā)展到摩爾定律的極限。芬奇犯罪該研究有利于促進(jìn)碳材料在未來集成電路中的應(yīng)用。神劇通過使用透射電子電鏡（TEM）和掃描透射電子顯微鏡(STEM)研究人員可以清晰地區(qū)分CNT和被壓扁的GNR。

閉合/開放邊緣石墨烯納米帶的顯微形貌理論研究表明，最擅隨著壓力增加CNT的徑向橫截面會(huì)先從圓形變?yōu)闄E圓形、最擅然后變成花生形狀并最終坍塌，發(fā)生坍塌所需要的壓力取決于CNT直徑。這種全新的方法可以制備窄至1.4nm的納米帶，長拍并且可使樣品中多至54%的單壁和雙壁CNT被轉(zhuǎn)變?yōu)镚NR。

?加壓和減壓過程中樣品的原位拉曼表征?（來源：變態(tài)NatureElectronics）隨著壓力的增加，變態(tài)116cm-1處來自直徑約為2.1?nm?CNT的徑向呼吸峰（RBM峰）逐漸藍(lán)移并且峰值強(qiáng)度降低（上圖b，左），表明高壓下CNT中發(fā)生了徑向結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變，從而改變了樣品的亞帶能隙。

為解決該問題,上海交通大學(xué)陳長鑫教授研究組與斯坦福大學(xué)HongjieDai教授、演大又部美國SLAC國家加速器實(shí)驗(yàn)室WendyL.Mao教授研究組等合作發(fā)展了一種通過聯(lián)合高壓和熱處理將碳納米管（CNT）壓扁的方法以制備具有原子級光滑閉合邊緣的亞10納米寬的半導(dǎo)體性GNR。在商業(yè)面前，芬奇犯罪科技與創(chuàng)新，成為星港家居最閃光的標(biāo)簽。

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