三星電子表示，議合拳他們計(jì)劃從今年開(kāi)始在全球推廣MicroLED。據(jù)介紹，多的民三星電子MicroLED中使用的LED元器件尺寸小于50μm，僅為一般100型高分辨率B2B產(chǎn)品中LED器件的10%。此外，套組MicroLED中使用的RGB器件是無(wú)機(jī)材料，因此沒(méi)有老化和燒屏問(wèn)題，并且可以帶來(lái)10萬(wàn)小時(shí)以上的穩(wěn)定高亮度和畫(huà)質(zhì)。

經(jīng)查詢發(fā)現(xiàn)，山東生MicroLED相比于LCD可以實(shí)現(xiàn)更高的亮度、色彩飽和度、色彩還原力、響應(yīng)速度等，而且是自發(fā)光，因此更省電。相比OLED，連續(xù)MicroLED的亮度也要更高一些，而且壽命也會(huì)更長(zhǎng)，性能更加穩(wěn)定，亮度和色彩飽和度更高，響應(yīng)速度也更快。

MicroLED是一種自發(fā)光顯示技術(shù)，召開(kāi)只為最采用微米（μm）級(jí)、比頭發(fā)還細(xì)的超小型LED元器件，無(wú)需背光或?yàn)V色片即可實(shí)現(xiàn)發(fā)光以及著色。

此外，議合拳他們還在考慮將MicroLED的應(yīng)用擴(kuò)展到小型顯示屏，如廣告標(biāo)牌和智能手表等。因此，多的民提高本征活性和增加反應(yīng)電子的傳遞效率是提高M(jìn)oS2電催化效率的兩種有效策略。

與分布在整個(gè)掃描區(qū)域上的Mo和S物種的情況不同，套組Ni物種只存在于特定位置上。此外，山東生Ni單原子的表面修飾則可以進(jìn)一步促進(jìn)本征活性位點(diǎn)的生成，進(jìn)一步提高反應(yīng)速率。

連續(xù)g)MCM@MoS2-Ni在不同掃速(mV·s-1)下的循環(huán)伏安曲線(CV)。召開(kāi)只為最圖3MCM@MoS2-Ni的精細(xì)結(jié)構(gòu)分析a)MCM@MoS2-Ni和Ni箔的NiK邊EXAFS光譜。