（d）在0.05-5Ag-1時(shí)，泡泡CoPSe/NC和CoSe2/NC的倍率性能。圖5CoPSe/NC和CoSe2/NC電極對(duì)PIB的電化學(xué)性能（a）在0.05Ag-1時(shí)，瑪特買(mǎi)快CoPSe/NC電極前三圈的恒電流充放電曲線?！緢D文導(dǎo)讀】圖1CoPSe/NC復(fù)合材料合成示意圖圖2CoPSe/NC復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)表征（a）黃鐵礦相CoSe2和CoPSe的晶體結(jié)構(gòu)示意圖;（b）CoSe2和CoPSe結(jié)構(gòu)的差分電荷密度圖;（c）黃鐵礦相CoSe2和CoPSe結(jié)構(gòu)的軌道能級(jí)圖;（d）CoPSe/NC復(fù)合材料的XRD圖譜;（e，刺激f）SEM，刺激g）TEM，h）HRTEM，i）SEM-EDX元素圖譜和j-1）XPS光譜。

這項(xiàng)工作為SIB和PIB提供了一種新型的具有高倍率能力和較長(zhǎng)的循環(huán)壽命負(fù)極材料，泡泡可用于實(shí)際應(yīng)用。然而，瑪特買(mǎi)快Na+/K+離子的大離子半徑引起的電化學(xué)循環(huán)過(guò)程中電極體積變化大和氧化還原動(dòng)力學(xué)遲緩的問(wèn)題，瑪特買(mǎi)快導(dǎo)致較差的循環(huán)性和倍率性能，這為實(shí)際應(yīng)用帶來(lái)了障礙。

刺激（c）Na1/8CoPSe和Na1/8CoSe2結(jié)構(gòu)的應(yīng)變能-體積變形曲線。

通過(guò)使用MOF作為模板和前體，泡泡結(jié)合原位同步磷化/硒化反應(yīng)制備CoPSe/NC。此外，瑪特買(mǎi)快團(tuán)隊(duì)還開(kāi)發(fā)了由A-TENG、AI語(yǔ)音識(shí)別芯片和控制電路組成的智能邊緣系統(tǒng)。

在以往的研究中，刺激這一層通常由多孔材料組成，如微穿孔鋁、導(dǎo)電織物、泡沫銅等。歡迎大家到材料人宣傳科技成果并對(duì)文獻(xiàn)進(jìn)行深入解讀，泡泡投稿郵箱[email protected]。

該智能感知組件無(wú)需云計(jì)算即可在物聯(lián)網(wǎng)的邊緣端實(shí)現(xiàn)語(yǔ)音指令識(shí)別與控制，瑪特買(mǎi)快是一種低功耗、低成本的智能邊緣系統(tǒng)。刺激【引言】低頻聲能在學(xué)術(shù)領(lǐng)域和工業(yè)界都受到了極大的關(guān)注。