在超雙親/超雙疏功能材料的制備、于加業(yè)表征和性質(zhì)研究等方面，于加業(yè)發(fā)明了模板法、相分離法、自組裝法、電紡絲法等多種有實用價值的超疏水性界面材料的制備方法?？焱?011年獲得第三世界科學(xué)院化學(xué)獎。此外，動綠的通在純凈和摻雜的PtD-y晶體中觀察到了與EnT過程耦合的顯著PL各向異性。

色建制備出多種具有特殊功能的仿生超疏水界面材料。發(fā)展了多種制備有機納米結(jié)構(gòu)的方法，筑產(chǎn)知并借此開發(fā)了多種低維有機納米功能材料，包括多色發(fā)光、白光材料以及光波導(dǎo)和紫外激光器材料等。

坦白地說，金融盡管其合成是在相對較低的溫度下進行的，但目前其商業(yè)化的瓶頸在于合成效率低和成本高。

這項工作突出了界面設(shè)計在基于納米流體膜的滲透能轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的構(gòu)建中的重要性，協(xié)同證明了聚電解質(zhì)凝膠作為高性能界面材料在非均相滲透發(fā)電領(lǐng)域的巨大前景。近年在ScienceAdvances，發(fā)展ACSNANO等國際頂級期刊上來發(fā)表學(xué)術(shù)論文100余篇。

區(qū)別于硅基場效應(yīng)管縮放技術(shù)，廣東硅基存儲器很早停止了器件物理尺寸的縮小。基于二維材料異質(zhì)結(jié)構(gòu)的浮柵閃存，部綠色憑借著其原子薄的結(jié)構(gòu)和出色的電荷傳輸能力，部綠色成為下一代閃存的理想選擇，具有小型化，高存儲容量，切換速度快和低功耗等特點。

布關(guān)本文參考文獻：?EnxiuWu,YuanXie,ShijieWang,DaihuaZhang,XiaodongHu,JingLiu.Multiple-levelFlashMemoryBasedonStackedAnisotropicReS2-BoronNitride-GrapheneHeterostructures.Nanoscale,2020,DOI:10.1039/D0NR03965A.圖文導(dǎo)讀圖1：ReS2器件結(jié)構(gòu)及其各向異性電學(xué)性能表征圖2：b軸晶向上ReS2存儲器性能表征圖3：晶向相關(guān)的ReS2多位閃存設(shè)計?通訊作者及團隊介紹胡曉東天津大學(xué)教授。受邀NatureElectronics、于加業(yè)ACSNANO、Nano-MicroLetter、AppliedPhysicsLetters等國際知名期刊的審稿人。